AG真人百家乐怎么玩 英特尔苦求用于高档集成电路结构制造的有源栅极上方斗争结构专利, 所属集成电路结构制造范畴
金融界2025年1月31日音信，国度学问产权局信息暴露AG真人百家乐怎么玩，英特尔公司苦求一项名为“用于高档集成电路结构制造的有源栅极上方斗争结构”的专利，公开号CN119384040A，苦求日历为2018年10月。
专利摘抄暴露，本公开的扩充例属于高档集成电路结构制造的范畴，ag真人百家乐怎么赢而况具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的范畴。在示例中，一种集成电路结构包括鳍状物之上的第一和第二栅极电介质层。第一和第二栅极电极别离在第一和第二栅极电介质层之上，第一和第二栅极电极王人具有带顶名义的绝缘帽。第一电介质隔断体与第一栅极电极的第一侧相邻。沟槽斗争结构在与第一和第二电介质隔断体相邻的半导体源极或漏极区之上，沟槽斗争结构包括导电结构上的绝缘帽，沟槽斗争结构的绝缘帽具有与第一和第二栅极电极的绝缘帽大体上共面的顶名义。
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