本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自HPCwire百家乐ag
新晶圆厂诞生开启增长新纪元。
证实 SEMI 最新的人人晶圆厂预测季度报告，半导体行业预测将在 2025 年启动 18 个新晶圆厂诞生名堂 。新名堂包括三座 200 mm和十五座 300 mm关键，其中大部分预测将于 2026 年至 2027 年运交运营。
2025年，好意思洲和日本是起程点地区，各有4个名堂。好意思洲在半导体规模一直处于起程点地位，领有先进的时期和巨大的科研实力，且在东说念主工智能、高性能磋议等新兴规模发展赶快，对半导体芯片的需求执续增长，这促使企业加大在原土诞生晶圆厂的力度，以餍足自身及临近商场的需求。日本在半导体产业有着深厚的时期蚁合和产业基础，固然比年来在人人商场份额有所变化，但依然在一些关键时期和规模保执上风。跟着人人对半导体需求的多元化，日本为了平安其在行业内的地位，进一步加大投资诞生新的晶圆厂，以普及产能和时期水平。
中国和欧洲及中东地区并排第三，磋议诞生3个名堂。中国积极激动芯片艰苦朴素策略，旨在减少对入口芯片的依赖，普及国度和产业竞争力。同期，国内汽车、物联网等产业的快速发展，对半导体芯片的需求有加无已，为新晶圆厂的诞生提供了渊博的商场空间。欧洲及中东地区在半导体规模也有一定的时期千里淀和产业布局，跟着人人半导体产业的复苏和新兴应用的兴起，该地区但愿通过诞生新的晶圆厂，进一步普及在人人半导体商场的份额，餍足土产货及临近地区的商场需求。
中国台湾磋议诞生2个名堂，其在半导体代工规模具有巨大的上风，凭借先进的时期和闇练的产业生态，一直是人人半导体产业的迫切参与者。为了保执其起程点地位，餍足抑遏增长的商场订单需求，中国台湾的企业不时投资诞生新的晶圆厂。
而韩国和东南亚在2025年各有1个名堂。韩国的半导体产业以三星等企业为代表，在存储芯片等规模占据迫切地位，诞生新晶圆厂是为了进一步平安其在人人商场的上风，搪塞商场竞争和需求变化。东南亚地区则凭借其较低的劳能源老本和逐渐完善的产业配套，诱骗了部分半导体企业投资建厂，固然当今名堂数目较少，但也显败露该地区在半导体产业方面的发展后劲。
SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha默示：“半导体行业一经到达一个关键时刻，投资推动着顶端和主流时期的发展，以餍足抑遏变化的人人需求。生成式东说念主工智能和高性能磋议正在推动顶端逻辑和内存规模的跳跃，而主流节点不时撑执汽车、物联网和电力电子规模的关键应用。18座新的半导体晶圆厂将于2025年运行诞生，这标明该行业勉力于支执立异和显耀的经济增长。”
2024年第四季度的《人人晶圆厂预测》报告涵盖2023年至2025年，报告暴露人人半导体行业磋议运交运营97座新的高容量晶圆厂。其中包括2024年的48个名堂和2025年将启动的32个名堂，ag百家乐积分晶圆尺寸从300mm到50mm不等。
先进节点引颈半导体产业扩展
预测半导体产能将进一步加快，预测年增长率为6.6%，到2025年每月晶圆总量将达到3360万片(wpm)。这一扩展将主要受到高性能磋议(HPC)应用中前沿逻辑时期的推动，以及生成式AI在旯旮开发中的日益普及。生成式AI在旯旮开发中的应用越来越芜俚，对芯片的磋议才调和能效比建议了更高的条件，促使半导体企业加大对先进节点时期的研发和分娩参加。
半导体行业正在加落拓度构建先进的磋议才调，以搪塞大型言语模子(LLM)抑遏增长的磋议需求。芯片制造商正在积极扩大先进节点容量（7nm及以下），预测到2025年，先进节点容量将以行业起程点的16%的年增长率增长，每分钟传输速率将增多30多万次，达到每分钟传输速率的220万次。
受中国芯片艰苦朴素策略以及汽车和物联网应用预期需求的推动，主流节点（8nm~45nm）预测将再增多6%的容量，并在2025年冲破1500万wpm的里程碑。汽车智能化和物联网的快速发展，需要大量的主流节点芯片来完竣各式功能，如汽车的自动驾驶系统、智能交通责罚等，以及物联网开发的邻接、数据处理等。
闇练时期节点（50nm及以上）的扩展较为保守，反馈出商场复苏从容且应用率较低。一方面，跟着时期的跳跃，商场对先进节点芯片的需求增长较快，对闇练时期节点芯片的需求相对清楚；另一方面，部分红熟时期节点芯片的应用规模受到新兴时期的冲击，导致商场需求萎缩，进而影响了产能的扩展。预测该部分将增长5%，到2025年达到1400万wpm。
晶圆代工部门产能不时强盛增长
预测代工场供应商将不时成为半导体开发采购的疏通者。代工场部门的产能预测将同比增长 10.9%，从 2024 年的 1130 万 wpm 增至 2025 年创记录的 1260 万 wpm。
举座内存规模显败露可不雅的容量扩展，2024年将讲理增长3.5%，2025年将增长2.9%。然则，强盛的生成式AI需求正在推动内存商场发生紧要变化。高带宽内存(HBM)正在资历显耀的增长，由于生成式AI等应用需要处理大量的数据，对内存的带宽和速率条件极高，HBM恰好餍足了这一需求，导致DRAM和NAND闪存规模之间的容量增长趋势出现不对。
DRAM规模预测将保执强盛增长，预测到2025年将同比增长约7%，达到450万wpm。相背，3D NAND的装配容量预测将增长5%，在团结期间达到370万wpm。
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